تراشه جديد بدون سيليكون چين، «اينتل» را مغلوب كرد
ترانزيستور جديد مبتني بر بيسموت ميتواند طراحي تراشهها را متحول كند و با دور زدن محدوديتهاي سيليكون، بازدهي بالاتري را ارايه دهد. گروهي از محققان دانشگاه پكن ادعا ميكنند كه پيشرفتي نوين را در فناوري تراشهها رقم زدهاند و بهطور بالقوه رقابت نيمهرساناها را تغيير دادهاند.
ترانزيستور جديد مبتني بر بيسموت ميتواند طراحي تراشهها را متحول كند و با دور زدن محدوديتهاي سيليكون، بازدهي بالاتري را ارايه دهد. گروهي از محققان دانشگاه پكن ادعا ميكنند كه پيشرفتي نوين را در فناوري تراشهها رقم زدهاند و بهطور بالقوه رقابت نيمهرساناها را تغيير دادهاند.به نقل از آياي، گفته ميشود كه ترانزيستور دو بُعدي جديد آنها 40 درصد سريعتر از جديدترين تراشههاي سيليكوني 3 نانومتري شركت اينتل و TSMC است، آن هم در حالي كه 10 درصد انرژي كمتري مصرف ميكند. محققان چيني ميگويند اين نوآوري ميتواند به چين اجازه دهد تا چالشهاي توليد تراشههاي مبتني بر سيليكون را بهطور كامل دور بزند.طبق بيانيه رسمي كه به تازگي در وبسايت اين دانشگاه منتشر شده است، اين تراشه سريعترين و كارآمدترين ترانزيستور جهان است. تيم تحقيقاتي به رهبري پروفسور پنگ هايلين (Peng Hailin) معتقد است رويكرد آنها نشاندهنده يك تغيير اساسي در فناوري نيمهرساناها است.پنگ در بيانيهاي گفت: اگر نوآوريهاي تراشههاي مبتني بر مواد موجود به عنوان يك «ميانبُر» در نظر گرفته شود، پس توسعه ما از ترانزيستورهاي مبتني بر مواد دو بعدي شبيه به «تغيير خط» است. پيشرفت اين تيم چيني حول يك ترانزيستور مبتني بر بيسموت ميگردد كه از پيشرفتهترين تراشههاي تجاري شركتهاي اينتل، TSMC، سامسونگ و مركز ميكروالكترونيك بين دانشگاهي بلژيك بهتر عمل ميكند. اين طراحي جديد برخلاف ترانزيستورهاي سنتي مبتني بر سيليكون كه با كوچكسازي و بهرهوري انرژي در مقياسهاي بسيار كوچك مبارزه ميكنند، راهحلي را بدون آن محدوديتها ارايه ميدهد.